În contextul tehnologiei actuale şi al creşterii economice, se doreşte ca echipamentele , produsele , modulele electronice să fie cât mai eficiente din punct de vedere energetic. Eficienţa energetică este foarte dezbătută în domeniul electronicii de putere, acolo unde se tratează probleme de eficientizare a modulelor electronice ce acţionează diferite tipuri de motoare cum ar fi: de curent continuu, de curent continuu trifazate brushless(fără perii colectoare), motoare de curent alternativ, motoare pas cu pas. Toate aceste tipuri de motoare pot consuma puteri mari datorată cuplului mecanic generat, acolo unde aplicaţia necesită acest fapt. Energia consumată pentru generarea cuplului mecanic nu reprezintă o problemă deoarece aceasta reprezintă energie utilă, ci energia disipată pe modulul electronic care nu ajută la generarea cuplului mecanic ci se disipă sub formă de căldură, implicit generând încălzirea mediului ambient al modulelor, care mai târziu în funcţie de inerţia termică a acestora, se vor încălzi schimbându-şi parametrii de funcţionare sau chiar generând defectarea lor.
Aplicaţiile acestor tranzistori în diferite configuraţii sunt:
-acţionare motoare de curent continuu şi trifazate, motoare pas cu pas
-surse în comutaţie de tip coborâtoare, ridicătoare cu configuraţii jumătate de punte HALF BRIDGE sau FULL BRIDGE
-invertoare de tensiune
-iluminare cu LED-uri prin modulaţie în factor de umplere
-acţionare motoare de curent continuu şi trifazate, motoare pas cu pas
-surse în comutaţie de tip coborâtoare, ridicătoare cu configuraţii jumătate de punte HALF BRIDGE sau FULL BRIDGE
-invertoare de tensiune
-iluminare cu LED-uri prin modulaţie în factor de umplere
Parametrii constructivi ai tranzistorilor MOSFET
Pentru a avea o viziune detaliată asupra tranzistorilor Mosfet în timpul funcţionării, trebuie să explicăm întai cei mai importanţi parametrii ai acestuia.
Menţionăm ca tranzistorii MOSFET au fost creaţi pentru a fi utilizaţi în aplicaţii de comutaţie, datorată vitezelor mari de comutaţie, această viteză fiind dată de timpul de urcare şi coborâre a tensiunii pe terminalele Drenă-Sursă. Desigur, timpul de urcare şi coborâre diferă în funcţie de tipul sarcinii : rezistiv, inductiv sau capacitiv. Un alt parametru important pentru care sunt utilizaţi în aplicaţii de comutaţie este rezistenţa drena-sursă, ce la tranzistorul bipolar întâlneam căderea de tensiune Vce (colector-emitor) sau tensiunea de saturaţie. Această cădere de tensiune, face ca orice tranzistor să disipe o anumită cantitate de energie. Tranzistorul bipolar avea o tensiunea prea mare de saturaţie indiferent de frecvenţa de comutaţie. Tranzistorul MOSFET a ajuns să aibă rezistenţe drene - sursă de ordinul zecilor de miliohmi. De exemplu pentru un tranzistor cu Rds de 25 miliohmi si un curent care trece prin acesta de 10A vom avea o putere disipată de 2.5W.
Lista parametrilor constructivi MOSFET:
Rds - este rezistenţa drenă sursă nominală măsurată la o temperatura de 25C (25 grade Celsius) a joncţiunii. Aceasta apare pe prima pagină a foii de catalog.Mai este notată şi Rds(25C). Această rezistenţă drenă sursă se măreşte odată cu încălzirea joncţiunii în timpul funcţionării tranzistorului, valoarea rezistenţei în funcţie de temperatură se regăseşte în figura din catalog denumită Normalized Rds versus Temperature, adică normalizata in funcţie de temperatură.
Ce înseamnă Normalized Rds versus Temperature?
Pe axa y a acestei rezistenţe normalizate scala poate fi între 0 - 2, iar pe axa x, temperatura joncţiunii între -25C si 125C. Dacă veţi citi la 40C, pe axa y 1.5 înseamnă că veţi înmulţi Rds(25C) * 1,5 = Rds(40C). Astfel veţi afla rezistenţa drenă sursă la 40C. Deobicei rezistenţa drenă sursa creşte linear, plecând de la temperatura de 25C. Această rezistenţă este importantă pentru a realiza managementul termic al tranzistorilor, pentru ca aceştia să nu intre într-o ambalare termica sau instabilitate termică, şi de asemenea să alegeţi un radiator adecvat pentru acesta.
Vds - tensiunea drenă sursă este tensiunea maximă care o poate bloca tranzistorul atunci când este în starea de închis, sau diferenţa de tensiune care poate fi aplicată pe drenă-sursă fară ca acesta să se defecteze. De exemplu pe drenă veţi avea o tensiune de 50V, şi realizaţi un convertor coborâtor punte h cu MOSFET, la o tensiune de 5V, veţi avea o tensiune de 45V între drenă şi sursă. Este bine să alegeţi un tranzistor cu Vds dublu faţă de tensiunea de alimentare, atunci când îl utilizaţi pentru sarcini inductive (de exemplu surse în comutaţie).
Qgs - încărcătura poartă sursă exprimată în nanoCoulombi sau Gate Source Charge, alături de Qgd încarcătura poartă drenă formează Qg.
Qg - încărcătura totală a porţii exprimată în nanoCoulombi, şi care este o funcţie de Vgs (tensiunea de deschidere a Mosfet-ului).Această încărcare dictează curentul ce va fi absorbit din driver-ul care va deschide tranzistorul. În figura următoare se arată această afirmaţie.
După cum se observă Qg variază în funcţie de Vgs. Există şi o zonă de platou la 4V cum arată figura, acest fenomen este denumit platoul Miller (Miller plateau - limba engleză). Acest platou se află în zona Vgs , unde Vgs se apropie de tensiunea minimă de deschidere. Pe scurt, Qg / ts = Amperi. De exemplu un timp de urcare de 100nS şi o încărcare a porţii de 200nC, arată că un curent de 2A este necesar pentru a deschide tranzistorul în acest timp. Deobicei aceste valori mari ale Qg sunt pentru tranzistori de putere de peste 100W. O deschidere cu 4V ar fi improprie din punct de vedere al Rds , pentru a obţine Qg 50nC, deoarece temperatura joncţiunii ar creşte considerabil. Detaliem în parametrul Vgs acest fenomen.
Vgs - tensiunea de deschidere a Mosfet-ului sau gate source voltage, pentru tranzistorii de putere cum ar fi IRFZ44,IRF540 este de +20V şi este aplicată între poartă şi sursă. Pentru tranzistorii de tip IRL cum ar fi IRL540 care se deschid complet la tensiuni de 5V, tensiunea maximă admisă este de 16V, deci atenţie.
În figura de mai sus, este afişată curba caracteristică de transfer adică curentul de drenă în funcţie de tensiunea de deschidere Vgs şi Vds. Se observă că aceste două tensiuni au o influenţă asupra acestuia, dar ponderea cea mai mare este dată de Vgs. Această curbă este cea a tranzistorului IRF540. Această tensiune de deschidere are o influenţă asupra rezistenţei drenă-sursă. În figura de mai jos, este afişată această influenţă.
Se observă că rezistenţa drenă sursă pentru tensiuni mai mici de 4V, creşte exponenţial, deoarece sub această tensiune tranzistorul este închis. Deşi în foile de catalog poate apărea că tensiunea de deschidere V(th) este între 2 şi 4 V pentru majoritatea tranzistorilor de putere, 4V este tensiunea minimă. Se observă că temperatura joncţiunii influenţează rezistenţa drena-sursă, iar pentru o temperatură de 125C, Rds poate fi de 1.5 ori mai mare decât cea la 25C nominală. Analizând cele două figuri de mai sus, consider că o deschidere cu 15V pe Vgs, face ca funcţionarea tranzistorului să fie una normală, fără a fi expus defectării premature.
Vgs(th) - tensiunea de prag (tensiunea minimă de deschidere) sau threshold voltage în limba engleză, este tensiunea minimă pentru ca tranzistorul să treacă din starea de închis , în starea de dechis. Această tensiune de deschidere este importantă, deoarece o tensiune prea mică de deschidere, a unui tranzistor aflat într-o configuraţie de tip punte H, face ca aceasta să se deschidă prematur, la oscilaţii apărute pe masa de putere sau prin intermediul capacităţilor parazite ale cablajului imprimat , sau chiar ale tranzistorului MOSFET (capacitatea drena poarta este cea mai influentă). O deschidere prematură în cadrul unei punţi H poate face ca cei doi tranzistori de pe o ramură să fie deschişi în acelaşi timp şi să fie strabătuţi de un curent care este dat de valoarea tensiunii de alimentare supra impedanţa circuitului adică 2*Rds. În general, când se întâmplă acest fenomen, tranzistorii se distrug.
De menţionat, că Vth are un coeficient negativ de temperatură, adică valoarea acesteia scade odată cu încălzirea joncţiunii ceea ce face tranzistorul mai susceptibil la deschideri premature. Această problemă face obiectul unei protecţii suplimentare în cazul deschiderii tranzistorilor în configuraţii de tip punte H.
----Urmează completări-----Articol în construcţie-------
Pentru a avea o viziune detaliată asupra tranzistorilor Mosfet în timpul funcţionării, trebuie să explicăm întai cei mai importanţi parametrii ai acestuia.
Menţionăm ca tranzistorii MOSFET au fost creaţi pentru a fi utilizaţi în aplicaţii de comutaţie, datorată vitezelor mari de comutaţie, această viteză fiind dată de timpul de urcare şi coborâre a tensiunii pe terminalele Drenă-Sursă. Desigur, timpul de urcare şi coborâre diferă în funcţie de tipul sarcinii : rezistiv, inductiv sau capacitiv. Un alt parametru important pentru care sunt utilizaţi în aplicaţii de comutaţie este rezistenţa drena-sursă, ce la tranzistorul bipolar întâlneam căderea de tensiune Vce (colector-emitor) sau tensiunea de saturaţie. Această cădere de tensiune, face ca orice tranzistor să disipe o anumită cantitate de energie. Tranzistorul bipolar avea o tensiunea prea mare de saturaţie indiferent de frecvenţa de comutaţie. Tranzistorul MOSFET a ajuns să aibă rezistenţe drene - sursă de ordinul zecilor de miliohmi. De exemplu pentru un tranzistor cu Rds de 25 miliohmi si un curent care trece prin acesta de 10A vom avea o putere disipată de 2.5W.
Lista parametrilor constructivi MOSFET:
Rds - este rezistenţa drenă sursă nominală măsurată la o temperatura de 25C (25 grade Celsius) a joncţiunii. Aceasta apare pe prima pagină a foii de catalog.Mai este notată şi Rds(25C). Această rezistenţă drenă sursă se măreşte odată cu încălzirea joncţiunii în timpul funcţionării tranzistorului, valoarea rezistenţei în funcţie de temperatură se regăseşte în figura din catalog denumită Normalized Rds versus Temperature, adică normalizata in funcţie de temperatură.
Ce înseamnă Normalized Rds versus Temperature?
Pe axa y a acestei rezistenţe normalizate scala poate fi între 0 - 2, iar pe axa x, temperatura joncţiunii între -25C si 125C. Dacă veţi citi la 40C, pe axa y 1.5 înseamnă că veţi înmulţi Rds(25C) * 1,5 = Rds(40C). Astfel veţi afla rezistenţa drenă sursă la 40C. Deobicei rezistenţa drenă sursa creşte linear, plecând de la temperatura de 25C. Această rezistenţă este importantă pentru a realiza managementul termic al tranzistorilor, pentru ca aceştia să nu intre într-o ambalare termica sau instabilitate termică, şi de asemenea să alegeţi un radiator adecvat pentru acesta.
Vds - tensiunea drenă sursă este tensiunea maximă care o poate bloca tranzistorul atunci când este în starea de închis, sau diferenţa de tensiune care poate fi aplicată pe drenă-sursă fară ca acesta să se defecteze. De exemplu pe drenă veţi avea o tensiune de 50V, şi realizaţi un convertor coborâtor punte h cu MOSFET, la o tensiune de 5V, veţi avea o tensiune de 45V între drenă şi sursă. Este bine să alegeţi un tranzistor cu Vds dublu faţă de tensiunea de alimentare, atunci când îl utilizaţi pentru sarcini inductive (de exemplu surse în comutaţie).
Qgs - încărcătura poartă sursă exprimată în nanoCoulombi sau Gate Source Charge, alături de Qgd încarcătura poartă drenă formează Qg.
Qg - încărcătura totală a porţii exprimată în nanoCoulombi, şi care este o funcţie de Vgs (tensiunea de deschidere a Mosfet-ului).Această încărcare dictează curentul ce va fi absorbit din driver-ul care va deschide tranzistorul. În figura următoare se arată această afirmaţie.
Vgs - tensiunea de deschidere a Mosfet-ului sau gate source voltage, pentru tranzistorii de putere cum ar fi IRFZ44,IRF540 este de +20V şi este aplicată între poartă şi sursă. Pentru tranzistorii de tip IRL cum ar fi IRL540 care se deschid complet la tensiuni de 5V, tensiunea maximă admisă este de 16V, deci atenţie.
Vgs(th) - tensiunea de prag (tensiunea minimă de deschidere) sau threshold voltage în limba engleză, este tensiunea minimă pentru ca tranzistorul să treacă din starea de închis , în starea de dechis. Această tensiune de deschidere este importantă, deoarece o tensiune prea mică de deschidere, a unui tranzistor aflat într-o configuraţie de tip punte H, face ca aceasta să se deschidă prematur, la oscilaţii apărute pe masa de putere sau prin intermediul capacităţilor parazite ale cablajului imprimat , sau chiar ale tranzistorului MOSFET (capacitatea drena poarta este cea mai influentă). O deschidere prematură în cadrul unei punţi H poate face ca cei doi tranzistori de pe o ramură să fie deschişi în acelaşi timp şi să fie strabătuţi de un curent care este dat de valoarea tensiunii de alimentare supra impedanţa circuitului adică 2*Rds. În general, când se întâmplă acest fenomen, tranzistorii se distrug.
De menţionat, că Vth are un coeficient negativ de temperatură, adică valoarea acesteia scade odată cu încălzirea joncţiunii ceea ce face tranzistorul mai susceptibil la deschideri premature. Această problemă face obiectul unei protecţii suplimentare în cazul deschiderii tranzistorilor în configuraţii de tip punte H.
----Urmează completări-----Articol în construcţie-------
Niciun comentariu:
Trimiteți un comentariu